Swbstrad SiC
Disgrifiad
Mae silicon carbid (SiC) yn gyfansoddyn deuaidd o Grŵp IV-IV, dyma'r unig gyfansoddyn solet sefydlog yng Ngrŵp IV o'r Tabl Cyfnodol, Mae'n lled-ddargludydd pwysig.Mae gan SiC briodweddau thermol, mecanyddol, cemegol a thrydanol rhagorol, sy'n ei gwneud yn un o'r deunyddiau gorau ar gyfer gwneud dyfeisiau electronig tymheredd uchel, amledd uchel a phwer uchel, gellir defnyddio'r SiC hefyd fel deunydd swbstrad. ar gyfer deuodau allyrru golau glas yn seiliedig ar GaN.Ar hyn o bryd, 4H-SiC yw'r cynhyrchion prif ffrwd yn y farchnad, ac mae'r math dargludedd wedi'i rannu'n fath lled-inswleiddio a math N.
Priodweddau
| Eitem | 2 fodfedd 4H N-math | ||
| Diamedr | 2 fodfedd (50.8mm) | ||
| Trwch | 350+/- 25um | ||
| Cyfeiriadedd | oddi ar echel 4.0˚ tuag at <1120> ± 0.5˚ | ||
| Cyfeiriadedd Fflat Cynradd | <1-100> ± 5° | ||
| Fflat Uwchradd Cyfeiriadedd | 90.0˚ CW o Fflat Cynradd ± 5.0˚, Si Wyneb i fyny | ||
| Hyd Fflat Cynradd | 16 ± 2.0 | ||
| Hyd Fflat Uwchradd | 8 ± 2.0 | ||
| Gradd | Gradd cynhyrchu (P) | Gradd ymchwil (R) | gradd ffug (D) |
| Gwrthedd | 0.015 ~ 0.028 Ω·cm | < 0.1 Ω·cm | < 0.1 Ω·cm |
| Dwysedd Microbibell | ≤ 1 microbibell / cm² | ≤ 1 0micropi/ cm² | ≤ 30 microbibell / cm² |
| Garwedd Arwyneb | Si wyneb CMP Ra <0.5nm, C Wyneb Ra <1 nm | Dd/G, ardal y gellir ei defnyddio > 75% | |
| TTV | < 8 um | < 10um | < 15 um |
| Bwa | < ±8 um | < ±10wm | < ±15um |
| Ystof | < 15 um | < 20 um | < 25 um |
| Craciau | Dim | Hyd cronnus ≤ 3 mm | Hyd cronnus ≤10mm, |
| Crafiadau | ≤ 3 crafiadau, cronnus | ≤ 5 crafiadau, cronnus | ≤ 10 crafiadau, cronnus |
| Platiau Hecs | uchafswm o 6 plât, | uchafswm o 12 plât, | Dd/G, ardal y gellir ei defnyddio > 75% |
| Ardaloedd Polytype | Dim | Arwynebedd cronnus ≤ 5% | Arwynebedd cronnus ≤ 10% |
| Halogiad | Dim | ||
